摘 要：在中密度C/C 复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层，研究中密度C/C 复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能，结果表明：中密度基体上催化制备SiCnw 涂层，可改善沉积效率，同时可抑制裂纹扩展，明显改善SiC 涂层在1 200 ℃的氧化防护能力。另外，在1 500 ℃的空气中氧化10 h 后，SiCnw/SiC 涂层氧化质量损失率仅为1.34%，明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC 涂层。
关键词：碳化硅纳米晶须；C/C 复合材料；SiCw/SiC 涂层；化学气相沉积(CVD)
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