摘要: 研究了退火对磁控溅射Co /Cu 多层膜微观结构和磁性能的影响。用扫描电子显微镜( SEM) ,透射电子显微镜( TEM) 观察了沉积态及在不同温度退火后Co /Cu 多层膜表面及截面的显微组织,用能谱仪( EDS) 分析了退火后Co /Cu 多层膜截面的元素分布,用综合物性测量系统( PPMS) 对Co /Cu 多层膜的磁滞回线进行了测量。表面显微组织的观察结果表明退火温度低于450 ℃时,多层膜表面形貌变化不大,均是由细小的晶粒组成。退火温度高于该温度后,随退火温度的升高,晶粒迅速长大。截面显微组织的观察结果和元素分布的测试结果表明,磁控溅射的Co /Cu 多层膜内有大量柱状晶,随退火温度升高柱状晶长大。当退火温度达到600 ℃后,多层膜内的层状结构被破坏。磁滞回线的测量结果表明,退火温度低于400 ℃时,Co /Cu 多层膜的磁性能变化不大,退火温度高于该温度后,随退火温度升高,矫顽力迅速增大。
关键词: Co /Cu 多层膜; 退火; 微观结构; 磁性能
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退火对Co_Cu多层膜微观结构和磁性能的影响.pdf