硅烷馈入方式对微晶硅薄膜光发射谱和结构的影响

发表时间：[2015-09-06]　　作者：李新利，任凤章，马战红，李武会，王宇飞，卢景霄　　编辑录入：admin　　点击数：348

内容简介

摘要：采用SＲ500光谱光度计对甚高频等离子体增强化学气相沉积本征微晶硅薄膜过程进行了在线监测，分析了硅烷不同注入方式对等离子体光发射谱和薄膜结构的影响。结果表明，采用硅烷梯度注入时，等离子体中的Hα*、Hβ*和SiH*峰强度逐步升高，且高的Hα*/SiH*比值有利于高晶化率界面层的沉积;这与采用XＲD分析薄膜的结构得到的结果一致。选择硅烷梯度注入方式沉积微晶硅薄膜电池本征层，在沉积速率为1nm/s本征层厚度为2400nm时，最终获得了光电转换效率为7.81%的单结微晶硅薄膜太阳能电池。关键词：硅烷馈入方式；等离子体；光发射谱；微晶硅薄膜；太阳能电池下载全文——硅烷馈入方式对微晶硅薄膜光发射谱和结构的影响_.pdf

友情提示

文章权限：高级会员
消耗金币：5
此文章需要高级会员及以上权限才可阅读！普通会员阅读下载本文档需要登录，并付出相应金币（普通会员注册即赠送20金币）。如何获取金币？
如果您还没有注册，您可以点此注册！
如果您已注册还没有登录，您可以在下面登录！

用户名：

密　码：

验证码：