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强磁场对非线性光学晶体ZnGeP2生长及性能的影响
发表时间:[2015-07-20]  作者:周艳,张礼峰,胡治宁,任维丽,钟云波,任忠鸣  编辑录入:小铬  点击数:481

内容简介

摘要:按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。关键词:强磁场;ZnGeP2;非线性;晶体生长下载全文——强磁场对非线性光学晶体ZnGeP_2生长及性能的影响_.pdf

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