摘要：高纯锗属于半导体材料，一般通过区域熔炼法提纯制取，微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此，习惯用(杂质)载流子浓度（通过电阻率和迁移率进行表征）来表示高纯锗的纯度，(杂质)载流子浓度越低，纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度，适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要，开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时，进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程，以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺，使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到（12~13）N，载流子浓度＜1×1011/cm2，电阻率＞2×103Ω·cm，迁移率＞1×104cm2/（V·s）。关键词：锗；区熔提纯；纯度下载高清全文——超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究.pdf