摘要：采用第一性原理方法研究了沿( 001) 、( 101) 和( 111) 面施加双轴拉伸应变下锗能带退简并行为。研究表明，布里渊区价带顶Γ 点退简并行为相对简单，导带底L 点退简并行为较复杂，不同L 点到Γ 点的能量差均不同，所对应能隙也不同。具体而言，沿( 001) 面施加双轴拉伸不会引起L 点电子态退简并; 沿( 101) 和( 111) 面施加双轴拉伸均可引起L 点电子态退简并。因此，计算应变锗能隙时需考察不同导带L 点与价带顶Γ 点的能量差值。
关键词：应变锗；退简并；能带结构；密度泛函理论
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