NdFeB系烧结磁体的制造方法

【发明专利申请】

申请公布号	CN103890880A
申请公布日	2014.06.25
申请号	2012800528308
申请日	2012.10.17
申请人	因太金属株式会社
地址	日本京都府
发明人	绀村一之; 沟口彻彦; 佐川真人
Int. Cl.	H01F41/02(2006.01)I; C22C28/00(2006.01)I; H01F1/057(2006.01)I; H01F1/08(2006.01)I
专利代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277
代理人	刘新宇; 张会华
优先权	2011-235571 2011.10.27 JP
PCT进入国家阶段日	2014.04.25
PCT申请数据	PCT/JP2012/076797 2012.10.17
PCT公布数据	WO2013/061836 JA 2013.05.02

摘要　本发明的课题在于，提供一种NdFeB系烧结磁体的制造方法：能够以低成本防止在进行晶界扩散处理时包括涂布在NdFeB系烧结磁体的基材上的重稀土类元素(R_H)在内的涂布物熔接于托盘等器具。在将含有重稀土类元素(R_H)的涂布物(R)涂布在NdFeB系烧结磁体的基材(S)上并利用晶界扩散法使重稀土类元素(R_H)向该基材的晶界扩散的NdFeB系烧结磁体的制造方法中，将上述涂布物(R)涂布在片(10)上，以使涂布在上述片(10)上的涂布物(R)与上述基材(S)的涂布目标面相接触的方式使该片(10)和该基材(S)密合，在使上述片(10)与上述基材(S)密合的状态下对该基材(S)进行上述晶界扩散处理(加热处理)。