Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法和透明导电膜

【发明专利申请】

申请公布号	CN103796970A
申请公布日	2014.05.14
申请号	2012800445061
申请日	2012.07.03
申请人	住友金属矿山株式会社
地址	日本东京都
发明人	山野边康德; 曾我部健太郎; 小泽诚
Int. Cl.	C04B35/453(2006.01)I; C23C14/08(2006.01)I; C23C14/24(2006.01)I; C23C14/34(2006.01)I; H01B5/14(2006.01)I
专利代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司72003
代理人	崔香丹; 洪燕
优先权	2011-207198 2011.09.22 JP
PCT进入国家阶段日	2014.03.13
PCT申请数据	PCT/JP2012/066963 2012.07.03
PCT公布数据	WO2013/042423 JA 2013.03.28

摘要　本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO₂相和作为硅酸锌（Zn₂SiO₄）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO₂粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。