（点击下载）——Ｈ２／（Ａｒ＋Ｈ２）流量比对ＡＺＯ薄膜结构及光电性能的影响.doc Ｈ２／（Ａｒ＋Ｈ２）流量比对ＡＺＯ薄膜结构及光电性能的影响 朱胜君，王　俊，李　念，李涛涛，吴　隽，祝柏林 （武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室， 湖北武汉，４３００８１） 摘要：在Ａｒ＋Ｈ２气氛下，用ＲＦ磁控溅射法在室温下制备Ａｌ掺杂的ＺｎＯ（ＡＺＯ）薄膜，研究Ｈ２／（Ａｒ＋Ｈ２）流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，在沉积气氛中引入Ｈ２可以提高ＡＺＯ薄膜的结晶质量，降低ＡＺＯ薄膜的电阻率，提高其霍尔迁移率和载流子浓度；Ｈ２／（Ａｒ＋Ｈ２）流量比为５％时，ＡＺＯ薄膜的最小电阻率为１．５８×１０－３Ω·ｃｍ，最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为１３．１７ｃｍ２·（Ｖ·ｓ）－１和３．０１×１０２０　ｃｍ－３；ＡＺＯ薄膜在可见光范围内平均透光率大于８５．７％。 关键词：Ｈ２／（Ａｒ＋Ｈ２）流量比；ＡＺＯ薄膜；射频磁控溅射法；结晶质量；电阻率； 透光率Ｓｎ掺杂Ｉｎ２Ｏ３（简称ＩＴＯ）和Ａｌ掺杂ＺｎＯ（简称ＡＺＯ）作为透明导电材料，以其低电阻率..