热处理温度对制备β－SiC结合SiC材料的影响

发表时间：[2016-05-20]　　作者：张涛　　编辑录入：小铬　　点击数：2276

内容简介

摘要：以绿碳化硅、单质硅和炭黑微粉为原料，以聚乙烯基吡咯烷酮(K90)为结合剂，采用注浆工艺制备碳化硅坯体，然后在埋炭(焦炭)保护气氛中分别于1000、1200、1420和1510℃保温3h热处理，主要研究了热处理温度对β-SiC结合SiC材料的致密度、强度、物相组成、显微结构等的影响，并探讨了β-SiC的生成生长机制。结果表明:1000℃热处理后试样的致密度和强度较低，没有生成β-SiC;1200和1420℃热处理后试样的致密度和强度均比1000℃热处理后试样的大，并且生成了较多β-SiC晶须;1510℃热处理后试样的致密度和强度均比1200和1420℃热处理后试样的小，并且生成的β-SiC晶须的长径比也比1200和1420℃热处理后试样的小。关键词：碳化硅材料;β-SiC晶须;气固反应机制下载全文——热处理温度对制备_SiC结合SiC材料的影响_.pdf

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