摘要:将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XＲD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd2SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明:750～850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成，大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时，Cd2SnO4含量大幅度增加，伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示:随着温度的升高，Cd2SnO4主相含量增加，靶材电阻率逐渐降低至19.9×10－3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律，采用2∶1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料，充分混合后在1000℃下煅烧2～3小时，可得到均匀单相亮黄色Cd2SnO4原料粉体。关键词:Cd2SnO4;靶材;烧结下载全文－－透明导电材料Cd_2SnO_4的制备_固相烧结制备原料粉体.pdf