摘要：利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机，将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒，Au离子注入的加速电压分别为20、40和60kV，注入剂量为1×1017ions/cm2，随后将注入样品在普通管式退火炉中700～1000℃退火处理。研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响。采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征。实验结果表明，采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法，所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性，同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径。关键词：热退火；离子注入；Au纳米颗粒；生长；光学性能下载全文——热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响_.pdf