摘要:采用Al2O3-Y2O3-CaO烧结助剂体系，低于1600℃无保护气氛条件下常压烧结制备SiC陶瓷。研究了粘结剂含量、压制压力、SiC原料粒径级配、烧结温度、烧结助剂含量等对SiC陶瓷结构与性能的影响，优化低温常压烧结SiC陶瓷工艺参数。结果表明，在SiC陶瓷烧结过程中，烧结体中的助烧熔体能充分填充孔隙，并在随后的冷却过程中大多转化为晶态氧化物，有效促进SiC陶瓷的烧结致密化，并赋予其良好的结构与性能。采用3.5μm和0.5μm粒径的SiC粉体按3∶1质量比级配，烧结助剂含量为30%(质量分数)，1575℃烧结制备的SiC陶瓷的密度为2.93g/cm3，抗弯强度为359MPa。关键词:SiC陶瓷;常压烧结;烧结助剂;结构与性能下载全文——低温常压烧结SiC陶瓷的结构与性能.pdf