摘　要：研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法。试验发现，在110℃左右的温度下，用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂，试样在PFA烧杯中能较快溶解，且在溶样时添加0.3mL甘露醇，可有效抑制硼的损失。在1000级洁净室中，用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si)，可控制样品空白中硼元素含量小于1μg/L，并能抑制部分基体效应。在仪器最佳工作状态下，选取B182.641nm作为分析谱线，方法的检出限为18.10μg/L，回收率在92%～108%之间，相对标准偏差(RSD，n=11)不大于7.2%。样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对，结果吻合。　　关键词：电感耦合等离子体原子发射光谱法；太阳能级硅；洁净室；硼下载全文——电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼.pdf