金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

发表时间：[2014-10-30]　　作者：罗清威，冉阿倩，李凤华，李英楠，洪成哲，樊占国　　编辑录入：小铬　　点击数：984

内容简介

摘要：采用金属有机沉积(MOD)法制备了SrTiO3(STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层。以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125mol·L-1的SrTiO3前驱溶液。研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150min)对在双轴织构的Ni-W(200)金属基带上沉积STO外延薄膜晶体取向和微观形貌的影响。结果表明，在950℃氩氢混合气氛(Ar-4%H2)下适宜于STO薄膜外延生长的最佳烧结时间为120min；STO缓冲层薄膜表面平整致密，无裂纹和孔洞，具有良好取向，可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层。关键词：金属有机沉积；涂层导体；SrTiO3；缓冲层；烧结时间下载全文——金属有机沉积法制备SrTiO_3薄膜_罗清威.pdf

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