摘要：以TiO2、B4C和C为原料，基于原位合成法在SiC基体中生成TiB2颗粒，并采用无压烧结法制备出TiB2/SiC复合陶瓷。通过对复合材料制备工艺的研究，发现：高于1300℃的预烧结能形成TiB2/SiC复合陶瓷坯体。C含量、烧结温度和保温时间对复合材料的相对密度均有影响。当C含量(质量分数)为4%时、在1400℃×60min+2000℃×30min的烧结工艺下能够制备出致密的TiB2/SiC陶瓷复合材料。微米级TiO2粉比纳米级TiO2粉更有利于形成较致密的烧结复合材料。随着生成TiB2体积分数的增加(5%～20%)，复合材料中TiB2颗粒逐渐粗化，间距逐渐变小。对复合材料的烧结机理还进行了分析。关键词：原位合成；硼化钛；碳化硅；复合材料构下载全文——TiB_2_SiC陶瓷复合材料制备工艺的研究_王伟.pdf