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<铜>电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金塑性加工材料及电子设备用组件
发表时间:[2014-06-16]  作者:  编辑录入:小钼  点击数:1435

电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金塑性加工材料及电子设备用组件

【发明专利申请】

申请公布号 CN103842531A
申请公布日 2014.06.04
申请号 2012800471719
申请日 2012.11.07
申请人 三菱综合材料株式会社
地址 日本东京
发明人 伊藤优树; 牧一诚
Int. Cl. C22C9/00(2006.01)I; B21B3/00(2006.01)I; C22F1/08(2006.01)I; H01B1/02(2006.01)I; H01B5/02(2006.01)I; H01B13/00(2006.01)I; C22F1/00(2006.01)I
专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司11018
代理人 康泉; 宋志强
优先权 2011-243869 2011.11.07 JP
PCT进入国家阶段日 2014.03.27
PCT申请数据 PCT/JP2012/078851 2012.11.07
PCT公布数据 WO2013/069687 JA 2013.05.16
摘要 本发明提供一种具有低拉伸弹性模量、高屈服强度、高导电性及优异的弯曲加工性,且适合于端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金塑性加工材料及电子设备用组件。本发明的电子设备用铜合金以3.3原子%以上且6.9原子%以下的范围含有Mg,且剩余部分实际上为Cu及不可避免的杂质,且将Mg的浓度设为X原子%时,导电率σ(%IACS)在σ≤{1.7241/(-0.0347×X2+0.6569×X+1.7)}×100的范围内,且平均粒径在1μm以上且100μm以下的范围内。并且,中间热处理后且精加工前的铜材的平均晶体粒径在1μm以上且100μm以下的范围内。
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