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<钨>一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法
发表时间：[2014-05-30]　　作者：　　编辑录入：小钼　　点击数：1546

一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法

【发明专利申请】

申请公布号 CN103805952A
申请公布日 2014.05.21
申请号 2013106709125
申请日 2013.12.12
申请人 株洲硬质合金集团有限公司
地址 412000湖南省株洲市荷塘区钻石路288号
发明人 魏修宇; 黄江波; 龙坚战; 张外平; 李光宗; 夏艳成; 常理; 宋立强
Int. Cl. C23C14/34(2006.01)I; C22F1/18(2006.01)I
专利代理机构 长沙永星专利商标事务所43001
代理人 周咏; 米中业
摘要　本发明公开了一种半导体用Φ400以上大尺寸高纯钨靶材，直径≥400mm，纯度达到99.999%以上、致密度99.5%以上、晶粒度≤100μm；其制备包括：将纯度99.999%以上、粒度2.2~2.6μm的钨粉均匀混合；180~250MPa、5~10分钟的冷等静压压制成型；2300℃~2400℃、8~12小时的中频感应烧结；1450~1550℃退火90~180分钟后，经多道次热轧至5~15mm厚度，热轧总变形量大于60%；再经经1300~1400℃退火90~150分钟后，进行机械加工，其上下表面的机械加工量均≥1.5mm；最终获得的钨靶材不仅性能优异，且工艺相对简单，对设备的要求不高。
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