点击下载——碳化稻壳的真空高温除杂研究探讨.doc碳化稻壳的真空高温除杂研究探讨李峰，李大纲，邢鹏飞，孟令超，庄艳歆，涂赣峰(东北大学材料与冶金学院，沈阳110004)摘要：研究了碳化稻壳(CRH)的真空高温除杂，考察了粒度、保温时间、保温温度和压力对除杂效果的影响。得到最佳工艺为：CRH粒度在75μm以下、保温时间120min、保温温度1100℃、压力70kPa。在此最佳工艺条件下，CRH中磷的去除率达91.85%、硫的去除率达88.96%。关键词：碳化稻壳；除杂；高纯硅；真空太阳能作为可再生的洁净能源受到了世界各国的高度重视［1～3］。硅材料的成本约占太阳能电池总成本的50%，硅材料价格成为影响光伏产业发展的重要因素。研究能耗低、成本低、无污染，生产安全的太阳能级多晶硅(SoG－Si)制备技术已为世界各国所重视［4～5］。目前国内外所采用的冶金法制备SoG－Si的工艺都是使用研磨、酸洗、氧化精炼、真空精炼、等离子束、电子束、区域熔炼、定向凝固等方法提纯MG－Si，进而制备SoG－Si［6］。对制备MG－Si的原料进行提纯净化，控制其杂质含量制备高纯硅给制备SoG－Si提供原料，这为冶金法制备SoG－Si提供了新思路［7］。碳化稻壳(carbonizedricehusk或CRH)是稻壳经过预热至其着火..