点击下载——影响对Al2O3－Si－C材料基质中原位合成SiC晶体形貌的不同碳源.doc影响Al2O3－Si－C材料基质中原位合成SiC晶体形貌的不同碳源梁峰1，李楠1，刘百宽2，贺中央2(1．武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地，湖北武汉430081；2．濮阳濮耐高温材料(集团)股份有限公司，河南濮阳457100)摘要：为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al2O3－Si－C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响，采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料，分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源，制备了添加三种不同碳源的Al2O3－Si－C基质试样，在埋炭气氛下于1000、1200和1400℃分别保温3h热处理，用XRD分析处理后试样的相组成，通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌。结果表明：1)较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成，SiC的生成量随热处理温度的升高而增加。2)不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同：碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须；Si与纳米炭黑之间快速反应形核，成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒；超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须关键词：Al2O3－Si－C；超细鳞片石墨；纳米炭黑；碳纳米管；SiC晶须传统Al2O3－C耐..