点击下载——CdTe量子点—双硫腙荧光开关测定铜.doc CdTe量子点—双硫腙荧光开关测定铜 尹赫南1，戴伟建2，张思宝3，葛慎光2，李帅2，颜梅2，黄世峰1 (1．山东省建筑材料制备与测试技术重点实验室，济南大学材料科学与工程学院，山东济南250022；2．济南大学化学化工学院，山东济南250022；3．山东省化工研究院，山东济南250014) 摘要：CdTe量子点表面包覆双硫腙，由于双硫腙与CdTe量子点之间发生荧光共振能量转移使得CdTe量子点荧光猝灭，铜的加入与双硫腙形成双齿螯合物，使得CdTe量子点荧光能量转移被阻止，CdTe量子点荧光强度得以恢复，由此建立了一种荧光开关测定痕量铜的新方法。在最佳条件下，0．5mL双硫腙@CdTe量子点(Dit@CdTe)，1．5mLpH7．5的Tris—HCl缓冲溶液中加入不同浓度的Cu2+，放置10min，于激发波长／发射波长为431nm／591nm下进行荧光测定，荧光增强强度与Cu2+浓度在0．01～10．0μmol／L范围内呈良好线性关系，相关系数为0．9903，检出限为0．04μmol／L。方法用于实际水样中铜的测定，相对标准偏差小于6．8％，回收率在97％～105％之间，并且测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP—MS)测定结果一致。 关..