一种高导热微波衰减AlN基复合材料及其制备方法

发表时间：[2013-03-26]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：847

申请号：	201210536786.X	申请日：	2012.12.13
名称：	一种高导热微波衰减AlN基复合材料及其制备方法
公开 (公告) 号：	CN102978500A	公开(公告)日：	2013.03.20
主分类号：	C22C29/16(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	C22C29/16(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	北京科技大学
地址：	100083 北京市海淀区学院路30号
发明 (设计)人：	贾成厂;高鹏;张玉利;王江源;崔照雯;常宇宏	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	北京金智普华知识产权代理有限公司 11401	代理人：	皋吉甫

摘要　

一种高导热微波衰减AlN基复合材料及其制备方法，属于微波电子真空技术领域。本发明选取CNTs和W作为金属相，AlN为介质相，包括CNTs：（0.1-2.0）vol.%、W：（1.0-20.0）vol.%和AlN：（100-CNTs-W）vol.%。将CNTs、W粉和AlN粉按一定的体积比混合得到混合料；将混合料成形与烧结，得到CNTs/W/AlN复相微波吸收材料。材料的相对密度>98%，介电常数17~25，介电损耗角正切>0.04，在70kHz~1MHz范围内具有良好的吸波性能，特别适合制备微波电真空器件，应用于消极电子对抗和微波测量系统中。