氧化镁烧结体及其制造方法

发表时间：[2012-12-18]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：965

申请号：	201180018437.2	申请日：	2011.04.11
名称：	氧化镁烧结体及其制造方法
公开 (公告) 号：	CN102822113A	公开(公告)日：	2012.12.12
主分类号：	C04B35/01(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J11/40(2012.01)I
颁证日：		优先权：	2010.05.20 JP 2010-116160
申请(专利权)人：	达泰豪化学工业株式会社;松下电器产业株式会社
地址：	日本兵库县
发明 (设计)人：	龟井忠辅;辻田卓司;桥本润;岛村隆之;后藤真志	国际申请：	2011-04-11 PCT/JP2011/002133
国际公布：	2011-11-24 WO2011/145265 JA	进入国家日期：	2012.10.10
专利代理机构：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳

摘要　

本发明提供能够抑制在成膜时发生飞溅且不易在成膜装置的供给口发生堵塞的氧化镁烧结体、使用该烧结体得到的PDP的保护膜用蒸镀材料以及上述烧结体的制造方法。该氧化镁烧结体包含氧化镁和3～50质量%的镁以外的元素周期表第IIA族元素的氧化物，根据需要包含1000ppm以下的选自铝、钇、铈、锆、钪和铬中的一种或两种以上的元素，该氧化镁烧结体的形状为圆板状、椭圆板状、多边形板状或半月板状，或者为在立方体或长方体的顶点带有弧度的形状。