多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法

发表时间：[2012-12-11]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：1287

申请号：	201210314116.3	申请日：	2012.08.30
名称：	多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法
公开 (公告) 号：	CN102808101A	公开(公告)日：	2012.12.05
主分类号：	C22C1/08(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	C22C1/08(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	河北工业大学
地址：	300401 天津市北辰区河北工业大学北辰校区
发明 (设计)人：	王清周;陆东梅;崔春翔;闫娜君;李诺;王倩	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210	代理人：	胡安朋

摘要　

本发明多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法，涉及阻尼材料的制造，步骤是，首先将淬火态多孔CuAlMn形状记忆合金样品进行热循环处理和超声波清洗，去除其外表面及孔洞内表面粘附的污渍，然后浸入聚苯乙烯—2-甲基四氢呋喃溶液中，并进行超声震荡至聚苯乙烯—2-甲基四氢呋喃溶液充分渗入到多孔CuAlMn形状记忆合金样品三维贯通的孔洞之中，最后经烘干至2-甲基四氢呋喃溶剂彻底挥发，制得在多孔CuAlMn形状记忆合金孔洞中沉积聚苯乙烯层的多孔铜基形状记忆合金基阻尼复合材料成品。该成品具有高且可控的阻尼性能，克服了现有多孔CuAlMn形状记忆合金在外加载荷下易在孔壁边缘产生应力集中或微裂纹的缺点。