电沉积／硫化法制备CuInS2薄膜微结构研究阎有花，裁迎春，方玲，李德仁，声惠超，固少雄，李正邦(中国钢研科技集团公司安泰科技股份有限公司，北京100081)摘要：以电沉积制备的Cu—In预制膜为衬底材料，硫粉为原料，尝试了Cu—In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的组织结构，并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明：Cu—In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成，由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外，还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后，底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构，与基底附着性较好。当速度为3．3v0时，CuInS2薄膜高质量结晶，薄膜均匀、致密，组分接近化学计量比，沿(112)面择优取向生长，适合于制备CIS太阳能电池吸收层。关键词：CuInS2薄膜；电沉积／硫化法；速度；微结构CuInS2(简称CIS)薄膜太阳电池是薄膜太阳电池多元化合物半导体中最具代表性的光伏器件之一。Meese等通过理论计算预测，CuInS2同质结太阳电池的转换效率在28％～32％，这在薄膜太阳能电池中是最高的[1]。目前，CuInS2薄膜太阳能电池的实验室最高转换效率已达到12．7%[2]。CuInS2薄膜的常见制备方法主要有共..