摘要：用静态气压与流动氮气气氛进行对比实验，探究了反应烧结Si3N4陶瓷中硅粉质量分数对Si3N4陶瓷材料氮化率及力学性能的影响．研究结果表明，当使用静态2MPa氮气气压对硅粉进行氮化时，氮化率达到97%，明显高于流动氮气气氛下硅粉的氮化率(91%)．这说明在使用静态氮气时，较高的气压更有利于氮气的扩散和氮化反应．同时，利用SEM等手段观察静态气压反应烧结Si3N4陶瓷材料，发现当硅粉质量分数大于10%时，Si3N4陶瓷材料表面出现气孔．这是因为随着硅粉质量分数的增加，硅粉在熔融状态下发生团聚现象，这造成了坯体内部再生空隙增加，从而导致Si3N4陶瓷材料的维氏硬度和抗折强度降低． 关键词：氮化硅；反应烧结；硅粉 下载高清全文—反应烧结Si_3N_4陶瓷材料的力学性能及微观组织.pdf