摘要：为改进ＳｉＣ质耐火材料的抗氧化性测试方法，节省测试时间，研究了Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ、Ｓｉ２Ｎ２Ｏ／Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ两种ＳｉＣ质耐火材料在１０００℃不同水蒸气压力（分别为0.10、0.11、0.13、0.15、０．１７、０．１９ＭＰａ）下氧化不同时间（分别为２０和４０ｈ）后的氧化量，检测了氧化前后试样的质量和显气孔率，通过数理统计方法分析了质量变化率与水蒸气压力的数学关系。结果表明：Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ和Ｓｉ２Ｎ２Ｏ／Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ质耐火材料在１０００℃水蒸气中的氧化速度随水蒸气压力的提高而增大；在氧化20和40ｈ后，其质量变化率的二次方与水蒸气压力具有高度显著的线性关系，表明它们的氧化基本遵循经典的抛物线动力学方程。 关键词：ＳｉＣ；氧化；水蒸气；压力 下载高清全文——水蒸气压力对两种SiC质耐火材料氧化速度的影响.pdf