摘　要：以等离子电弧法制备的铟−锡氧化物(indium-tinoxide,ITO)纳米粉末为原料，采用冷等静压−烧结工艺制备ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量，研究烧结温度、升温速率、烧结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明，在烧结温度为1550℃、升温速率为500℃/h、烧结时间8h、氧气气氛压力为0.02MPa条件下制备的ITO靶材致密度和电阻率分别为99.54%和1.829×10−4Ω·cm，能够满足高端光伏、液晶显示屏(LCD)等领域对ITO靶材致密度和电阻率的要求。关键词：烧结温度；升温速率；烧结时间；气氛压力；电阻率下载全文——烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响_.pdf