铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法

【发明专利申请】

申请公布号	CN103811369A
申请公布日	2014.05.21
申请号	2013104954368
申请日	2013.10.21
申请人	上海华力微电子有限公司
地址	201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
发明人	范荣伟; 袁增艺; 龙吟; 倪棋梁; 陈宏璘
Int. Cl.	H01L21/66(2006.01)I
专利代理机构	上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275
代理人	吴世华; 林彦之

摘要　本发明涉及一种铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法，用于在CMOS器件制备工艺中检测铜连接孔刻蚀不足缺陷，包括如下步骤：以电子束扫描仪扫描多枚CMOS器件表面区域，检测出各暗电压对比度缺陷区域，同时通过失效分析分别识别各暗电压对比度缺陷的类别，建立一暗电压对比度缺陷类别与缺陷区域图像灰度特征的对应关系；以电子束扫描仪扫描待检测CMOS器件一表面区域，确定有无暗电压对比度缺陷区域，若有，则提取该缺陷区域图像灰度特征；根据对应关系进一步识别该缺陷区域是否为铜连接孔刻蚀不足缺陷；切换至另一表面区域继续扫描。该方法可快速识别出CMOS器件中可能存在的铜连接孔刻蚀不足缺陷，其识别准确率高、检测速度快。