C/SiC复合材料的一种连接方法

发表时间：[2013-12-03]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：1001

申请号：	201310311186.8	申请日：	2013.07.23
名称：	C/SiC复合材料的一种连接方法
公开 (公告) 号：	CN103408316A	公开(公告)日：	2013.11.27
主分类号：	C04B37/02(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	C04B37/02(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	贵研铂业股份有限公司
地址：	650106 云南省昆明市高新技术开发区科技路988号（昆明贵金属研究所)
发明 (设计)人：	胡昌义;魏燕;蔡宏中;郑旭;陈力;祁小红;普志辉;王云	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	昆明今威专利商标代理有限公司 53115	代理人：	赛晓刚

摘要　

本发明公开了一种可以实现C/SiC（碳纤维增强碳化硅复合材料）复合材料与其他金属可靠、牢固连接的连接结构和连接方法。该方法以金属铌（Nb）、氢气和氯气为原料，使用化学气相沉积（CVD）的方法在C/SiC复合材料上沉积Nb（以下简称CVDNb），制备CVDNb/（C/SiC）复合材料接头。以CVDNb为过渡连接材料，与其他金属（如镍基合金、钛合金、铌合金）等焊接，从而实现C/SiC复合材料制备的各类异型器件与其他金属器件的组装。CVDNb在C/SiC复合材料表面的沉积过程中即产生元素扩散和界面反应，形成良好的结合，无需进行后续热处理。该连接方法对C/SiC复合材料器件外形的尺寸精度要求低，该连接结构简单，气密性能良好，连接强度大，使用温度高，连接可靠性高，尤其适用于航天航空用C/SiC复合材料结构件的连接问题。