一种壳核结构纳米硅复合材料的制备方法

发表时间：[2013-09-22]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：1024

申请号：	201310194584.6	申请日：	2013.05.23
名称：	一种壳核结构纳米硅复合材料的制备方法
公开 (公告) 号：	CN103311511A	公开(公告)日：	2013.09.18
主分类号：	H01M4/36(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	H01M4/36(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C01B33/021(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	刘国钧
地址：	436000 湖北省鄂州市鄂城区汀祖镇刘显村刘显8号
发明 (设计)人：	刘国钧;杨小旭;沈晓东;唐云俊	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	北京同恒源知识产权代理有限公司 11275	代理人：	刘宪池

摘要　

本发明公开了一种具有壳核结构的纳米硅复合材料的制备方法，直接采用高纯度半导体（9N级晶硅）或太阳能级（6N级晶硅）铸锭的硅棒，通过电弧放电、高温等离子体气化、活化处理、溶液接枝途径强化半导体硅掺杂元素磷或硼的含量，成品转化率和纯度较高，制得的硅纳米复合材料由于硅纳米球具有核壳结构，不容易发生团聚和氧化，容易保存，制备方法简单易行，适合规模化生产。