一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法

发表时间：[2013-09-22]　　作者：　　编辑录入：冶金之家　　点击数：1133

申请号：	201310255225.7	申请日：	2013.06.25
名称：	一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法
公开 (公告) 号：	CN103302294A	公开(公告)日：	2013.09.18
主分类号：	B22F3/16(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	B22F3/16(2006.01)I;C23C18/38(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	浙江理工大学
地址：	310018 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号
发明 (设计)人：	陈建军;王明明;张炬栋;薛一凡	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	杭州求是专利事务所有限公司 33200	代理人：	林怀禹

摘要　

本发明公开了一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法。将纳米Cu@SiC粉末、镍粉和铜粉按比例置于压力成型机中模压成形，得到压坯预制件，将压坯预制件置于石墨坩埚中，粉末烧结反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行，并在700～1000℃温度下保温4～6小时，随炉冷却后得到纳米Cu@SiC/Cu基复合材料。采用表面化学镀铜和添加镍粉的方法减少了纳米SiC粉末和铜基体之间的界面反应，提高了纳米SiC和铜基体的润湿性能，由于粉末冶金工艺在材料生产过程中并不熔化材料，不会混入由坩埚带来的杂质，不会给材料任何污染，本发明制备的复合材料具有高强度、高致密等优点，且原料成本低廉，工艺简单易控。